特許

J-GLOBAL ID：200903077094526912

窒素-3族元素化合物半導体発光素子

発明者： 佐々 道成 ,  加藤 久喜 ,  浅井 誠
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293944
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131068
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】発光ダイオードの結晶性及び発光輝度を向上させることである。【構成】n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn層3,4と半絶縁性の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成るi層5とを有する発光素子において、(11-20)に対して、0.5〜2.0度の範囲で傾斜した面を主面Fとするサファイア基板1と、サファイア基板1上に直接又はバッファ層2を介して形成されたn層3,4と、n層の上に形成されたi層5とを有する。結晶のライザー部から面状で発光する結果、発光強度が向上する。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn層と半絶縁性の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成るi層とを有する発光素子において、(11-20)に対して、0.5〜2.0度の範囲で傾斜した面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介して形成されたn層と、前記n層の上に形成されたi層とを有することを特徴とする窒素-3族元素化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-188938
  
• 特開平2-291147
  
• 特開昭56-059699
  
• 特開平4-299876