特許

J-GLOBAL ID：200903077114149410

エッチング方法および装置

発明者： 岡 貞治 ,  小林 信治 ,  八木原 剛 ,  藤田 忠重 ,  三浦 明
出願人/特許権者： 株式会社テラテック
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270415
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 CMP工程を用いることなく、半導体ウェハに形成された溝やビアをCuで埋め込む。【解決手段】 エッチング液をエアロゾル化し、エッチングしようとする材料、特に表面の微細な凹部を埋めてCu薄膜が形成された半導体ウェハに、この霧状のエッチング液を吹きつける。

請求項（抜粋）：

エッチング液をエアロゾル化してエッチングしようとする材料に吹きつけることを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/02 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/306 F ,  C23F 1/02 ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/88 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 表面の処理
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-332861   出願人：クライテックコーポレーション