特許

J-GLOBAL ID：200903077117961417

積層異種絶縁膜の一括エッチング方法

発明者： 山本 清二 ,  吉田 剛
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002580
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208481
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】低誘電率の有機SOG系の絶縁膜とSiO2の積層試料を一括して形状よく高い速度でエッチングする。【解決手段】セミギャップ平行平板型のUHF帯ECRプラズマエッチング装置を用い、エッチングガス流量に対する酸素ガス流量の比率を0.7から1.3の範囲内にする。また、エッチングガスとして炭素、フッ素、水素のいずれか1種以上の元素を含むガスを用い、酸素ガスに代替するガスとして、プラズマ中での解離によって酸素を供給できるガスを用いる。

請求項（抜粋）：

セミギャップ平行平板型のUHF帯ECRプラズマエッチング装置を用いる異種層間絶縁膜の一括エッチングにおいて、エッチングガス流量に対する酸素ガス流量の比率を0.7から1.3の範囲内にすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 S

Fターム (31件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033TT04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX03