特許

J-GLOBAL ID：200903077118027904

半導体装置の製造方法

発明者： 小川 洋輝 ,  藤村 修三 ,  石川 健治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208989
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 エッチングや洗浄等の化学処理を管理した半導体装置の製造方法に関し、半導体表面の化学処理自体を観察し、半導体表面の状態を管理することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体材料表面を化学処理する際、前記半導体材料と同じ材質の半導体で構成されたATR測定用プリズムを同一条件で化学処理する化学処理工程と、前記ATR測定用プリズムのATR測定を行ない、前記化学処理工程の評価をする評価工程とを含むように構成する。また、半導体材料表面を化学処理する際、シリコンで構成され、(111)面を測定面とするATR測定用プリズムを同一条件で化学処理する化学処理工程と、前記ATR測定用プリズムのATR測定を行ない、前記化学処理工程の評価をする評価工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体材料表面を化学処理する際、前記半導体材料と同じ材質の半導体で構成されたATR測定用プリズムを同一条件で化学処理する化学処理工程と、前記ATR測定用プリズムのATR測定を行ない、前記化学処理工程の評価をする評価工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  G01N 21/27 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-338642