特許
J-GLOBAL ID：200903077122203636
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-050939
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237349
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも酸素を含むとともに比誘電率が3.3以下であり、かつ、Cu膜14が埋め込まれるSiCO:H膜6を半導体基板1上に設ける。続けて、実質的に酸素フリーの雰囲気下に設定された処理室20内にSiCO:H膜6が設けられた半導体基板1を収容した後、Arガスの放電によるプラズマ処理をSiCO:H膜6に施しつつ、酸素と反応する元素を含む材料からなるSiCN:H膜7を設けるとともに、Cu膜14が埋め込まれるSiO2 膜をプラズマCVD法によりSiCN:H膜7上に設ける。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
少なくとも酸素を含むとともに比誘電率が3.3以下であり、かつ、導電体が埋め込まれる低比誘電率膜を基板上に設け、
内部が酸素以外の元素から構成される材料により覆われているとともに実質的に酸素フリーの雰囲気下に設定された処理室内に、前記低比誘電率膜が設けられた前記基板を収容した後、希ガスを主成分とするガスの放電によるプラズマ処理を前記低比誘電率膜に施し、
酸素を含む材料および酸素と反応する元素を含む材料の少なくとも一方の材料からなるとともに導電体が埋め込まれる第1の絶縁膜を、プラズマCVD法により前記低比誘電率膜上に設ける、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/90 P
, H01L21/90 A
5F033HH11
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033MM02
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP33
, 5F033QQ00
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ13
, 5F033QQ25
, 5F033QQ48
, 5F033QQ98
, 5F033RR01
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS03
, 5F033SS04
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033WW09
, 5F033XX00
, 5F033XX12
, 5F033XX20
, 5F033XX24
出願人引用 (7件)
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特許第3436221号公報
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-377049
出願人：株式会社東芝
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-355728
出願人：株式会社東芝, ソニー株式会社
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審査官引用 (1件)
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