特許

J-GLOBAL ID：200903077123076794

GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137493
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320054
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 高温動作が可能なGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 n型GaN層14表面に絶縁層を介してゲート電極20が形成されているGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁層は、n型GaN層14側から、Ga2 O3 層15とSiO2 層16が交互に積層された積層体17からなる。

請求項（抜粋）：

GaN系半導体表面に絶縁層を介してゲート電極が形成されているGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁層は、異なる2種類のアモルファス絶縁層が交互に積層された積層体であることを特徴とするGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 B

Fターム (47件)：

5F040DA07 ,  5F040DA19 ,  5F040DA26 ,  5F040DC03 ,  5F040EA04 ,  5F040EB12 ,  5F040EC02 ,  5F040EC10 ,  5F040EC12 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040FC06 ,  5F058BA01 ,  5F058BA04 ,  5F058BB01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33