特許
J-GLOBAL ID：200903077123199918
クラスレート化合物薄膜の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147359
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343110
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】均一な膜厚のクラスレート化合物薄膜を、膜厚制御性良く形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン、ゲルマニウム等のIV族元素からなる基板上にアルカリ金属の蒸着膜を形成し、その上に該基板を構成する材料と同一材料からなるアモルファス半導体膜を形成する。ついで、この基板を希ガス雰囲気下で加熱処理した後、真空中で加熱処理する。
請求項（抜粋）：
(A)IV族元素基板上にアルカリ金属の蒸着膜を形成し、その上に該基板を構成する材料と同一材料からなるアモルファス半導体膜を形成した後、該基板を希ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、(B)該基板を真空中で加熱処理する工程とを含むことを特徴とするクラスレート化合物薄膜の作製方法。
FI (2件)：
C01B 33/02 D
, C01B 33/02 Z
