固体撮像装置およびその駆動方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014423
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275676
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】表面付近の欠陥の影響をなくして白キズ等の特性不良の発生を防ぎ、かつゲート電圧による信号電荷の読み出しを制御する。【構成】 N型拡散層13をP型基板11の中に完全に埋め込まれるように形成し、N型拡散層13の上を完全に覆うようにP型拡散層14を形成し、光電変換領域を形成する。また、N型拡散層12,13の間隔およびP型基板11内部のチャンネルの上部のP型拡散層15の不純物濃度分布を、ゲート電極17に正の電圧を印加した時に、P型基板11内部にチャンネルができ、かつチャンネルの上のゲート電極17の電圧により、チャンネルの電位が上げられるようにすることにより、信号電荷をP型基板11内部のチャンネルを通して読み出すこと、およびゲート電極17の電圧による読み出しの制御を可能とした。

請求項（抜粋）：

一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、前記第2の半導体領域の上部を完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、前記第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、前記第2と第4の半導体領域の間に所定の不純物濃度分布を持つ一導電型の第5の半導体領域が形成され、前記第4と第5の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、前記第2と第4の半導体領域の間隔および前記第5の半導体領域の不純物濃度分布が前記ゲート電極に電圧を印加した時に前記第4の半導体領域に蓄積された信号電荷を前記第1の半導体領域の内部のチャンネルを通して前記第2の半導体領域に読み出せかつチャンネルの上の前記ゲート電極の電圧によりチャンネルの電位が上げられるようなものにすることにより読み出しを制御することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平2-280377
特開平4-332166

審査官引用 (3件)

特開平4-332166
特開平2-280377
特開平2-280377

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