特許
J-GLOBAL ID：200903077130372722
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133441
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349821
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 Si基板上に絶縁膜を形成するにあたり、少ない工程数でスループットが高い絶縁膜を形成する。【構成】 Si基板上に絶縁膜を有する半導体装置において、絶縁膜としての酸窒化膜をランプアニール法によって、Si基板に対する酸化と窒化の反応を同時に進行させて1ステッププロセスで形成することにより、特性の優れた半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
Si基板上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜としての酸窒化膜をランプアニール法によって、Si基板に対する酸化と窒化の反応を同時に進行させることにより1ステッププロセスで形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/324
, H01L 29/784
