特許
J-GLOBAL ID：200903077131626426
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-017003
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228461
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】半導体素子と引き出し電極(インナーリード)との接続が良好で、かつ、「半田溜り部」が形成されない構造を有し、電気的信頼性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】表面に外部電極端部5Aを備えた半導体素子5と、外部電極端部5Aの上に形成された導電性の接合部材7と、外部電極端部5Aに相対して設けられ、接合部材7を介して外部電極端部5Aに接合された引き出し電極端部10と、引き出し電極端部10と相対する位置に設けられ、半導体素子5の電気信号を外部に伝達するための引き出し電極配線部9と、引き出し電極端部10と引き出し電極配線部9とを空隙を有するように連結する引き出し電極連結部12とを備えた半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に外部電極端部を備えた半導体素子と、
前記外部電極端部の上に形成された導電性の接合部材と、
前記外部電極端部に相対して設けられ、前記接合部材を介して前記外部電極端部に接合された引き出し電極端部と、
この引き出し電極端部と相対する位置に設けられ、前記半導体素子の導通電流を外部に導出するための引き出し電極配線部と、
前記引き出し電極端部と前記引き出し電極配線部との間に空隙を有するように連結する引き出し電極連結部とを備えてなる半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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