特許
J-GLOBAL ID：200903077133651770
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068855
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283509
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜を有機シランを原料ガスとして用いる化学気相成長法によって形成する際に、ステップカバレージおよび平坦性が良好であるとともに膜質も良好な絶縁膜を形成する。【構成】 半導体基板11上の絶縁膜12の上にアルミ配線13を形成し、その上にプラズマTEOS CVD膜14を形成した後、半導体基板を反応チャンバへ入れ、TEOSガスおよびオゾンガスによる反応によって絶縁膜を生成するに当たり、成膜初期において、酸化性酸素の発生を抑制することによってエタノール、メタノールなどの中間反応生成物を多量に生成し、これによって下地処理を行い、ステップカバレージおよび平坦性が改善されるとともにボイドの発生も抑止されたオゾン-TEOSCVD NSG 膜15を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜を有機シランおよび酸化性ガスを用いる化学気相成長によって形成するに当たり、成膜の初期または途中で酸化性ガスによる反応を抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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