特許
J-GLOBAL ID：200903077142428049
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134313
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349841
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【構成】コレクタ層の上面に開口部を持つ絶縁膜を有し、その絶縁膜上に多結晶Si膜よりなるベース引出し電極、開口部領域上にエピタキシャル層からなるベースを有するバイポーラトランジスタにおいて、金属シリサイド膜あるいは金属膜を含んだベース引出し電極がベースエピタキシャル層の側壁においてそれと接続しており、また、開口部周辺におけるベース引出し電極と単結晶基板との接触部分の幅は一定で且つ50nm以下になっている。【効果】寄生ベース抵抗を増大させることなく、ベースコレクタ間容量を従来に比較して1/2にでき、その結果、トランジスタの動作速度を従来の約1.5倍にすることが可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面に形成された第一導電型埋込層と第一導電型エピタキシャル層からなり、互いに絶縁膜により電気的に分離されたコレクタ層の上面に開口部を持つ絶縁膜を有し、前記絶縁膜上に第二導電型多結晶半導体膜を含む導電膜よりなるベース引出し電極、前記開口部の領域上に第二導電型エピタキシャル層からなるベースを有するバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース引出し電極が前記第二導電型ベースエピタキシャル層の側壁においてそれと接続していることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
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