特許
J-GLOBAL ID：200903077147133608
TFTアレイ基板及びこれを用いた液晶表示装置並びにTFTアレイ基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161696
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354806
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 液晶注入工程の減圧時における水分、ガス及び分解物等の発生を抑制し液晶注入不良を防止すると共に、処理時間の短縮によるコスト低減を図る。【解決手段】 TFT形成後の基板上に、高耐熱性、高硬度の透明性樹脂よりなる層間絶縁膜10を形成し、ドレイン電極8上の層間絶縁膜10にコンタクトホール11を形成する。続いて、ITO等の透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により画素電極12を形成後、層間絶縁膜10の画素電極12に覆われていない部分に物理的または化学的表面処理を施し、層間絶縁膜改質部14を形成することにより、層間絶縁膜10を画素電極12と層間絶縁膜改質部14で覆い閉じこめる。また、層間絶縁膜改質部14を有色とし、可視光の透過率を50%以下とすることにより、画素電極12周辺より生ずる光漏れを抑制する効果も得られる。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線、上記ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線、上記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、この半導体層に接続された上記ソース電極及びドレイン電極よりなる薄膜トランジスタ、上記薄膜トランジスタが形成された基板上に設けられ、上記薄膜トランジスタに起因する段差を無くすように表面が平坦化され、上記ドレイン電極上にコンタクトホールを有する透明性樹脂よりなる層間絶縁膜、上記層間絶縁膜上に広範囲に設けられ、上記コンタクトホールにより上記ドレイン電極と接続される透明導電膜よりなる画素電極、上記層間絶縁膜の上記画素電極に覆われていない部分に物理的または化学的表面処理を施して形成され、減圧下における上記層間絶縁膜に吸蔵された水分及びガス等の発生を抑制する機能を有する層間絶縁膜改質部を備えたことを特徴とするTFTアレイ基板。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/768
, H01L 21/336
H01L 29/78 619 A
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/90 B
, H01L 29/78 627 Z
