特許

J-GLOBAL ID：200903077150113189

マスク、露光方法および半導体装置の製造方法

発明者： 大沼 英寿
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-227681
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071767
出願日： 2002年08月05日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】相補分割パターンのつなぎ合わせ部分でのレジストパターンの線幅変動を抑制できるマスク、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一定の線幅のパターンを分割線で分割した第1および第2のパターンを露光する方法であって、第1のパターンを一部細くした形状の孔と、第1のダミー孔とを有する第1の薄膜を介して、第1のパターンの露光を行う工程と、第2のパターンを一部細くした形状の孔と、第2のダミー孔とを有する第2の薄膜を介して、第2のパターンの露光を行う工程とを有し、露光面上に第1および第2のパターンが転写される位置の合わせずれが特定の大きさのとき、第1および第2のダミー孔を透過する荷電粒子線が露光面に入射する位置が重なり、露光面に再現されるパターンの線幅が一定になるように露光量が調整される露光方法、それに用いるマスク、およびその露光方法を含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

露光面に照射される荷電粒子線を遮断する複数の薄膜と、 各薄膜に設けられた荷電粒子線を透過させる孔であって、所定のパターンの互いに異なる一部であり、一定の線幅のパターンを一本の分割線で分割した第1のパターンと第2のパターンを含む相補分割パターンで設けられた孔と、 複数の薄膜の一つである第1の薄膜に、前記第1のパターンを前記分割線近傍で細くした形状で形成された第1のパターンの孔と、 前記分割線近傍の前記第1の薄膜に、前記第1のパターンの孔と隔てて形成された孔である少なくとも一つの第1のダミー孔と、 複数の薄膜の他の一つである第2の薄膜に、前記第2のパターンを前記分割線近傍で細くした形状で形成された第2のパターンの孔と、 前記分割線近傍の前記第2の薄膜に、前記第2のパターンの孔と隔てて形成された孔である少なくとも一つの第2のダミー孔とを有し、 前記露光面上に前記第1のパターンが転写される位置と、前記露光面上に前記第2のパターンが転写される位置との合わせずれが特定の大きさのとき、前記第1のダミー孔を透過する荷電粒子線が前記露光面に入射する位置と、前記第2のダミー孔を透過する荷電粒子線が前記露光面に入射する位置が重なり、前記露光面に転写される前記第1のパターンと前記第2のパターンの線幅が一定になるように、前記第1のダミー孔と前記第2のダミー孔が配置されている マスク。

IPC (5件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

FI (6件)：

H01L21/30 541S ,  G03F1/08 N ,  G03F1/16 B ,  G03F7/20 504 ,  G03F9/00 H ,  H01L21/30 531M

Fターム (11件)：

2H095BA01 ,  2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BE03 ,  2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046GD10 ,  5F046GD20 ,  5F056AA21 ,  5F056FA05