特許
J-GLOBAL ID:200903077150113189
マスク、露光方法および半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-227681
公開番号(公開出願番号):特開2004-071767
出願日: 2002年08月05日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】相補分割パターンのつなぎ合わせ部分でのレジストパターンの線幅変動を抑制できるマスク、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一定の線幅のパターンを分割線で分割した第1および第2のパターンを露光する方法であって、第1のパターンを一部細くした形状の孔と、第1のダミー孔とを有する第1の薄膜を介して、第1のパターンの露光を行う工程と、第2のパターンを一部細くした形状の孔と、第2のダミー孔とを有する第2の薄膜を介して、第2のパターンの露光を行う工程とを有し、露光面上に第1および第2のパターンが転写される位置の合わせずれが特定の大きさのとき、第1および第2のダミー孔を透過する荷電粒子線が露光面に入射する位置が重なり、露光面に再現されるパターンの線幅が一定になるように露光量が調整される露光方法、それに用いるマスク、およびその露光方法を含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
露光面に照射される荷電粒子線を遮断する複数の薄膜と、
各薄膜に設けられた荷電粒子線を透過させる孔であって、所定のパターンの互いに異なる一部であり、一定の線幅のパターンを一本の分割線で分割した第1のパターンと第2のパターンを含む相補分割パターンで設けられた孔と、
複数の薄膜の一つである第1の薄膜に、前記第1のパターンを前記分割線近傍で細くした形状で形成された第1のパターンの孔と、
前記分割線近傍の前記第1の薄膜に、前記第1のパターンの孔と隔てて形成された孔である少なくとも一つの第1のダミー孔と、
複数の薄膜の他の一つである第2の薄膜に、前記第2のパターンを前記分割線近傍で細くした形状で形成された第2のパターンの孔と、
前記分割線近傍の前記第2の薄膜に、前記第2のパターンの孔と隔てて形成された孔である少なくとも一つの第2のダミー孔とを有し、
前記露光面上に前記第1のパターンが転写される位置と、前記露光面上に前記第2のパターンが転写される位置との合わせずれが特定の大きさのとき、前記第1のダミー孔を透過する荷電粒子線が前記露光面に入射する位置と、前記第2のダミー孔を透過する荷電粒子線が前記露光面に入射する位置が重なり、前記露光面に転写される前記第1のパターンと前記第2のパターンの線幅が一定になるように、前記第1のダミー孔と前記第2のダミー孔が配置されている
マスク。
IPC (5件):
H01L21/027
, G03F1/08
, G03F1/16
, G03F7/20
, G03F9/00
FI (6件):
H01L21/30 541S
, G03F1/08 N
, G03F1/16 B
, G03F7/20 504
, G03F9/00 H
, H01L21/30 531M
Fターム (11件):
2H095BA01
, 2H095BA08
, 2H095BB02
, 2H095BE03
, 2H097CA16
, 2H097GB00
, 2H097LA10
, 5F046GD10
, 5F046GD20
, 5F056AA21
, 5F056FA05
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