特許

J-GLOBAL ID：200903077153711958

薄膜構造のメタル層におけるヒロック阻止用双対絶縁キャッピング層

発明者： ロナルド ティー フルクス ,  ウィリアム ダブリュー ヤオ ,  ジャクソン エイチ ホー
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095232
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302893
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 製造工程中にメタル層におけるヒロックスの形成を阻止するために、安く、非汚染で、効果的な方法により形成される薄膜構造を提供する。【構成】 基板及び基板により支持されたメタル層を有し、メタル層におけるヒロックスの形成を阻止すべく設計された薄膜構造であって、それ以下でメタル層が実質的にヒロックフリーである適当に低い温度でメタル層上に被着された第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に被着された第2の絶縁層とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板及び当該基板により支持されたメタル層を有しており、該メタル層におけるヒロックスの形成を阻止すべく設計された薄膜構造であって、それ以下で前記メタル層が実質的にヒロックフリーである適当に低い温度で該メタル層上に被着された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に被着された第2の絶縁層とを備えていることを特徴とする薄膜構造。

IPC (3件)：

H01L 29/40 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786