特許
J-GLOBAL ID：200903077157018386

固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

発明者：
渡辺 慎也

渡辺 慎也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-002772
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190891
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 CMP研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるCMOS型固体撮像素子及びこうしたCMOS型固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】 マトリクス状に配列された受光部7と、受光部の垂直列毎に設けられた各受光部から電荷を転送する転送部とを有する撮像部が形成されたN型シリコン基板1と、N型シリコン基板上に形成されたCMP処理が施され、その表面にカリウム元素が残留する第1の配線間絶縁膜11を備えるCMOS型固体撮像素子100において、N型シリコン基板1と第1の配線間絶縁膜11の間に第1の拡散防止膜30を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
受光部を有する撮像領域が形成された半導体基板と、 該半導体基板上に金属元素を含む液体を用いた平坦化処理にて形成された所定の層とを備える固体撮像素子において、 少なくとも前記受光部と前記所定の層の間に第1の拡散防止膜が形成された ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H01L31/10 A
Fターム (34件)：
4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  4M118CA33 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F049MA11 ,  5F049MB03 ,  5F049NA07 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA20 ,  5F049QA03 ,  5F049QA09 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049TA12 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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