特許

J-GLOBAL ID：200903077158764197

化合物半導体素子の配線方法

発明者： 井上 大二朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109716
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体素子の段差部分の上部と下部とを接続するいかなる方向の配線においても、断線を防止する。【構成】 段差がある下部の化号物半導体層1と上部の化号物半導体層2とを接続すべく、その段差部分に金属配線3を設ける際に、順テーパ状のエッチング面1aと逆テーパ状のエッチング面1bとを各段差部分に形成しておく。金属配線3は順テーパ状のエッチング面1aと強固に接続し、断線は生じない。

請求項（抜粋）：

上部の化合物半導体と下部の化合物半導体とが段差をなして積層されている化合物半導体素子にあって、前記両半導体をその段差部分にて接続すべく配線する方法において、配線部における段差面が少なくとも前記下部の化合物半導体の結晶方位方向に平行な方向とこれに略垂直な方向との2方向を有することを特徴とする化合物半導体素子の配線方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-110264
  
• 特開昭61-058273
  
• 特開平2-211665