ゲート絶縁膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013763
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】表面が平坦で膜質の良いゲート絶縁膜を形成する。【構成】基板1の上面に半導体薄膜を形成するためのポリシリコン膜2を形成すると、ポリシリコン膜2の表面に結晶粒界を反映した高さ400〜500Å程度の凹凸3が形成され、この凹凸3の表面に、ポリシリコン膜2とのエッチング速度比が2:1〜1:2好ましくは1.5:1〜1:1.5となる特性を有するフォトレジスト4をスピンコート法によりその表面が平坦となるように塗布し、CH4とO2との混合ガス雰囲気中でプラズマエッチングすると、フォトレジスト4とポリシリコン膜2とがほぼ同じエッチング速度でエッチングされることにより、ポリシリコン膜2の表面が高さ10Å以下に平坦化され、この平坦な表面側を熱酸化すると、熱酸化されないポリシリコン膜2によって半導体薄膜が形成されると共に、この半導体薄膜の表面に酸化シリコンからなる表面が平坦なゲート絶縁膜が形成される。

請求項（抜粋）：

表面が凹凸の半導体薄膜形成用薄膜の表面に、該半導体薄膜形成用薄膜とのエッチング速度比が2:1〜1:2となる特性を有する物質をその表面が平坦となるように塗布し、ドライエッチングすることにより前記半導体薄膜形成用薄膜の表面を平坦化し、該半導体薄膜形成用薄膜の平坦な表面側を熱酸化することにより、熱酸化されない前記半導体薄膜形成用薄膜によって半導体薄膜を形成すると共に、該半導体薄膜の表面に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。

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