特許

J-GLOBAL ID：200903077160714610

半導体製造装置

発明者： 矢部 一生 ,  塚田 光記
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232139
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、高真空状態のウェハを高速かつ均一に加熱昇温することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、加熱したガスをウェハ1の裏面に放射し、かつ少なくともウェハ1の裏面方向へ熱を放射するヒータ2と、ウェハ1の裏面とヒータ2との間に加熱ガスが充満される領域を形成し、ウェハ1をクランプするウェハクランプ6と、少なくともウェハ1の表面を真空状態に保持してウェハ1を収納するチャンバー7とから構成される。

請求項（抜粋）：

加熱したガスをウェハの裏面に放射し、かつ少なくともウェハの裏面方向へ熱を放射する加熱放射手段と、ウェハの裏面と加熱放射手段との間に加熱ガスが充満される領域を形成し、ウェハを係止する係止手段と、少なくともウェハの表面を真空状態に保持してウェハを収納する収納手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-128129
  
• 特開昭62-128129