特許

J-GLOBAL ID：200903077171456957

半導体発光素子

発明者： 三井 正 ,  八尾 秀樹 ,  三枝 明彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175830
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007400
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 構造欠陥の拡大を抑制するように改良された半導体発光素子を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 基板の上に、その上表面が発光面となる発光性半導体層3が設けられている。発光性半導体層3の上に、発光面を複数の部分に間仕切りする間仕切り部4aが設けられている。間仕切り部4aを被覆し、かつ発光性半導体層3の表面に接触するように、電流を注入するための薄膜電極5が設けられている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に設けられ、その上表面が発光面となる発光性半導体層と、前記発光性半導体層の上に設けられ、前記発光面を複数の部分に間仕切り、その直下の発光性半導体層部分に電流が流れるのを阻止する間仕切り手段と、前記間仕切り手段を被覆し、かつ前記発光性半導体層の表面に接触するように前記基板の上に設けられた、電流を注入するための薄膜電極と、を備えた半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/363

Fターム (30件)：

5F041AA41 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F103AA04 ,  5F103DD23 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL02 ,  5F103LL16 ,  5F103LL17 ,  5F103PP11 ,  5F103RR10