特許
J-GLOBAL ID：200903077171624124
微小金属ドットの製造方法および微小金属ドット製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213927
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 直径10nmφ以下の複数の微小金属ドットを、基板上の所定の位置に高密度かつ安定的に形成する方法を提供する。【解決手段】 基板表面を化学的に洗浄する工程、前記洗浄後の基板表面の第1層の原子を、水素原子、ハロゲン原子、カルコゲン原子、及び脱離可能な官能基からなる群から選択された少なくとも1種で終端する工程、前記基板表面の第1層原子を終端している原子または官能基を、10nmφ以下の微小領域内にわたって除去して、ダングリングボンドを形成する工程、及び、前記基板を加熱しつつ、ダングリングボンドが形成された第1層原子に金属原子を選択的に吸着させ、この金属原子を微小ドットに形成する工程を具備する。
請求項（抜粋）：
基板表面を化学的に洗浄する工程、前記洗浄後の基板表面の第1層の原子を、水素原子、ハロゲン原子、カルコゲン原子、および脱離可能な官能基からなる群から選択された少なくとも1種で終端する工程、前記基板表面の第1層原子を終端している原子または官能基を、10nmφ以下の微小領域内にわたって除去して、ダングリングボンドを形成する工程、および前記基板を加熱しつつ、ダングリングボンドが形成された第1層原子に金属原子を選択的に吸着させ、この金属原子を微小ドットに成長させる工程を具備する微小金属ドットの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/06
, H01L 21/203 M
