特許
J-GLOBAL ID：200903077172781240
レーザーダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-055692
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268334
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、横モードが安定したしきい値電流の小さいレーザーダイオード及びその製造方法に関するものである。【構成】 電流ブロック層105の屈折率を第2のクラッド層104の屈折率小さく、かつ、第1のクラッド層102及び第2のクラッド層の屈折率が活性層103の屈折率よりも小であるレーザーダイオード及び電流ブロック層の成長の際に、HClを微量含む成長用ガスを用いる方法。
請求項（抜粋）：
第1導電型のIII-V族化合物単結晶基板、該基板上に形成したIII-V族化合物単結晶からなる同一導電型の第1のクラッド層、活性層、少なくともその上部にリッジを形成した第2導電型の第2のクラッド層及び第2のクラッド層の上記リッジの側面に接するように形成された電流ブロック層を有するレーザーダイオードにおいて、第1及び第2のクラッド層の屈折率が活性層の屈折率より小であり、かつ、電流ブロック層の屈折率が第2のクラッド層の屈折率より小であることを特徴とするレーザーダイオード。
IPC (2件)：
引用特許：
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