特許

J-GLOBAL ID：200903077173959697

研磨方法

発明者： 上方 康雄 ,  倉田 靖 ,  内田 剛 ,  寺崎 裕樹 ,  五十嵐 明子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323998
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144063
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 研磨中の温度調整により、高いCMPによる研磨速度を維持し、エッチング速度を十分に低下させることにより、ディッシングの発生を抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ-ン形成を可能とする研磨方法を提供する。【解決手段】 表面に凹凸の有る金属膜を有する基板を支持基体に貼り付けた研磨パッドに押し付け、研磨パッド上に金属用研磨液を供給しながら前記基板と前記支持基体とを相対的に動かすことにより、前記金属積層膜を研磨し表面の凹凸を平坦化する研磨方法において、前記金属用研磨液にベンゾトリアゾールまたはその誘導体の少なくとも1種を含み、前記金属膜の研磨を35°C〜70°Cの温度範囲で行う研磨方法。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸の有る金属膜を有する基板を支持基体に貼り付けた研磨パッドに押し付け、研磨パッド上に金属用研磨液を供給しながら前記基板と前記支持基体とを相対的に動かすことにより、前記金属積層膜を研磨し表面の凹凸を平坦化する研磨方法において、前記金属用研磨液にベンゾトリアゾールまたはその誘導体の少なくとも1種を含み、前記金属膜の研磨を35°C〜70°Cの温度範囲で行うことを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 J

Fターム (7件)：

3C058AA01 ,  3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CA05 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12