特許
J-GLOBAL ID：200903077187198303
加熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109352
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板の温度分布を均一にして被処理膜の膜質を均質にする。【解決手段】 微小な粒体が結合されてなる加熱盤10、加熱盤10の底側方から受容する台本体20、台本体20に備えられた加熱源3及び排気系4,5とから構成される加熱台。被処理基板6は加熱盤10上の無数の吸着孔により全面にわたって均一に吸着される。加熱盤10から被処理基板6への熱伝導が均一に行われて、温度分布が均一にされるので、全面にはわたって均質な膜が得られる。
請求項（抜粋）：
被処理基板を載置するとともに加熱する加熱台を装備した加熱処理装置において、前記加熱台は、内部に無数の微孔が相互に相通じてなる細孔を有する加熱盤が、加熱手段及び吸気手段を備えた台本体により底方及び側方から受容されてなり、前記加熱盤の底方または/及び側方より前記細孔を通じて吸引することにより、前記細孔が前記加熱盤上面に露出されてなる無数の微細な吸着孔に吸引力を生ぜしめ、前記被処理基板を前記加熱台に均一に吸着し、かつ、加熱をしながら処理を行うことを特徴とする加熱処理装置。
IPC (7件)：
G02F 1/1337
, B23Q 3/08
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/203
, H01L 21/68
, H01L 21/205
G02F 1/1337
, B23Q 3/08 A
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/68 N
, H01L 21/205
