特許

J-GLOBAL ID：200903077187716029

発光ダイオードの製法

発明者： 阿部 弘光
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097160
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293623
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ダブルへテロ接合構造のLEDにおいて、p型不純物がノンドープの活性層に拡散して発光効率を低下させることがなく、高特性がえられるLEDの製法を提供する。【構成】 半導体基板1上にn型クラッド層3、活性層4およびp型クラッド層6からなるダブルへテロ接合の発光層を有する発光ダイオードの製法であって、前記p型クラッド層の前記活性層側の一部を実質的にノンドープのクラッド層5にして各半導体層を順次積層する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にn型クラッド層、活性層およびp型クラッド層からなるダブルへテロ接合の発光層を有する発光ダイオードの製法であって、前記p型クラッド層の前記活性層側の一部を実質的にノンドープ層にして各半導体層を順次積層する発光ダイオードの製法。