絶縁ゲート型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278928
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139323
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のチップサイズを大きくすることなく、半導体装置の位置を認識する位置認識パターンを形成することができ、また、耐圧検査のための検査領域を形成する絶縁ゲート型半導体装置を提供すること目的とする。【構成】絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートに対する保護素子が前記ゲートと分離して形成されるので、前記ゲートと保護素子とを電気的に接続するために、前記保護素子とのコンタクトをとるコンタクト領域が形成される。このコンタクト領域上に形成された金属配線パターン上に、該半導体装置の位置を認識する位置認識パターンを形成する。また、前記金属配線パターンを利用して耐圧検査のための検査領域を併せて形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板をドレインとし、前記基板主面内に設けられた第2導電型領域をチャネルとし、前記第2導電型領域主面内に設けられた第1導電型領域をソースとし、前記ソース・ドレイン間のチャネル上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層からなるゲートを有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記トランジスタのゲートに対する保護素子が前記ゲートと分離して形成される絶縁ゲート型半導体装置において、前記ゲートは前記保護素子とのコンタクトをとるためのコンタクト領域を有し、前記コンタクト領域上に形成された配線パターンに、該半導体装置の位置を認識する位置認識パターンを形成したことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/60 301 , H01L 21/68 , H01L 21/3205 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 657 B , H01L 21/265 A , H01L 21/88 S , H01L 29/78 658 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-217976
特開昭63-208231
特開平1-278735

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