特許
J-GLOBAL ID：200903077196235203
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153121
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335777
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 キャップ及びヘッダで構成された気密封止された内部にメッキ処理によって発生するアウトガスの活動を抑えて光半導体素子の安定動作、長期信頼性の向上をはかる。【構成】 光半導体装置のキャップ6とヘッダ5で構成する気密封止された空間内に、光半導体素子、例えば発光素子1と発光素子1のモニタ光を受光する受光素子2と共にTiやCrなどのガスに対するゲッタリング作用を有する金属10を存在させる。ゲッタリング作用を有する金属は、例えば、前記キャップ内面又は前記ヘッダ表面に堆積した金属蒸着膜又は金属ブロックからなる。ガスに対するゲッタリング作用を有する金属を存在させることによりアウトガスがこの金属に吸着され、その結果、アウトガスの活動を有効に阻止することができる。
請求項（抜粋）：
光半導体素子と、前記光半導体素子が取付けられているヘッダと、前記ヘッダに接合され、前記光半導体素子を気密封止するキャップと、前記ヘッダの貫通孔を介して気密封止されたキャップ内部から外部に導出された複数の外部端子と、前記光半導体素子の接続電極と前記外部端子の前記キャップ内部の一端とを電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前記キャップ及び前記ヘッダで気密封止されている空間にはゲッタリング作用を有する金属を形成したことを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/02
, H01L 31/02
, H01S 3/18
