半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273748
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139403
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】回折格子の加工が容易で、安定に縦単一モードで発振し、しきい値電流の低い分布帰還型の半導体レーザ装置を得る【構成】 n型InP基板1上に、n型InGaAsPガイド層2、ノンドープInGaAs/InGaAsP多重量子井戸活性層3をMOCVD法により順次成長する。活性層3の表面をホトマスク自己干渉法により2次の位相シフト型回折格子71を形成する。これは、屈折率及び利得の摂動を有する2次の回折格子となる。更にMOCVD法により、p型InGaAsPガイド層4、p型InPクラッド層5、p型InGaAsPコンタクト層6を順次成長する。次にメサ構造を形成して埋込成長した(不図示)後、抵抗加熱蒸着層値によりp側電極8及びn側電極9を形成後、劈開して0.4mmのレーザ共振器を形成する。

請求項（抜粋）：

内部に活性層と回折格子を組み込んだ分布帰還型の半導体レーザ装置において、前記回折格子が、共振器方向に周期的な屈折率の摂動と利得の摂動とを同時に有すると共に、各摂動の周期が発振波長に対して2次であり、かつ、各摂動の周期の位相が不連続である領域を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。

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