特許
J-GLOBAL ID：200903077198823218
半導体集積回路とその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-231815
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097379
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 配線間の寄生容量を小さくし、ビット線遅延時間の増加を抑えて、半導体集積回路例えばSRAMを高速化する。【構成】 配線パターン上を覆って保護絶縁層20が形成されてなる半導体集積回路において、保護絶縁層20の配線19間に空洞21を形成した半導体集積回路。
請求項（抜粋）：
配線パターン上を覆って保護絶縁層が形成されてなる半導体集積回路において、上記保護絶縁層の上記配線パターンの配線間に空洞を形成したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 27/10 471
, H01L 21/31
