特許

J-GLOBAL ID：200903077199904203

有機EL素子の製造方法および有機EL素子

発明者： 森 匡見
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306639
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126689
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流やダークスポットの発生を抑制し、長寿命で高信頼性の有機EL素子の製造方法および有機EL素子を提供する。【解決手段】 ターゲットと基板とを有し、前記基板上に電極および有機層を有する有機EL素子を成膜する有機EL素子の製造方法であって、前記有機EL素子を成膜するに際し、予め基板表面をスパッタ法にて逆スパッタ処理する有機EL素子の製造方法とした。

請求項（抜粋）：

基板上に電極および有機層を有する有機EL素子を成膜する有機EL素子の製造方法であって、前記有機EL素子を成膜するに際し、予め基板表面をスパッタ法にて逆スパッタ処理する有機EL素子の製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z