特許

J-GLOBAL ID：200903077200961488

高密度回路基板及びその製造方法

発明者： 岡本 崇司
出願人/特許権者： 株式会社サーマルプリンタ研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-382086
公開番号（公開出願番号）：特開2004-175085
出願日： 2002年11月24日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】回路パターンの高密度化と、回路基板自体の任意の形状への加工を可能にし、超小型電子機器へ高密度実装できる回路基板を製造する。【解決手段】第1工程で、鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板11の表面に薄膜技術にて高密度の配線電極12を形成する。ガラス基板11はほうけい酸ガラスを使用し、配線電極12はアルミニウムを使用し、配線電極12の厚みは約1.5μである(図A)。第2工程で、電気炉中にて約550°Cの温度で加熱しつつガラス基板11をV字形の金型に乗せ、更にそのガラス基板11の上に逆V字形の金型を乗せ、金型の自重にてガラス基板11を加圧しL字形に折り曲げ成型する(図B)。第3工程で、このガラス基板11にICなどの電子部品14の搭載をおこなう。そして、超音波加熱による溶接又は半田付けによってICの金線端子などを配線電極12に接続する(図C)。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板(11)の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極(12)を着膜して高密度回路パターンを形成する第1工程と、高密度回路パターンを着膜形成したガラス基板(11)を高温度に加熱しつつ金型を用いてプレス加工する第2工程と、プレス加工により成型されたガラス基板(11)に電子部品(14)を搭載し前記配線電極(12)に接続する第3工程とを備えたことを特徴とする高密度回路基板の製造方法。

IPC (1件)：

B41J2/335

FI (3件)：

B41J3/20 111H ,  B41J3/20 111C ,  B41J3/20 111D

Fターム (21件)：

2C065GB01 ,  2C065GB03 ,  2C065HA08 ,  2C065HA09 ,  2C065HA16 ,  2C065JC02 ,  2C065JC07 ,  2C065JC10 ,  2C065JC12 ,  2C065JD05 ,  2C065JD06 ,  2C065JD09 ,  2C065JD12 ,  2C065JD13 ,  2C065JD14 ,  2C065JH05 ,  2C065JH07 ,  2C065JH11 ,  2C065JH14 ,  2C065JH15 ,  2C065JH16