特許

J-GLOBAL ID：200903077207622352

半導体装置の製造方法

発明者： 獅子口 清一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149212
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007909
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】低温のガス還元法による自然酸化膜の除去において、半導体基板の表面あるいは半導体薄膜の表面に凹凸が形成されないようにする。【構成】半導体基板の主面あるいは半導体薄膜の表面に形成される自然酸化膜を除去する処理方法において、シラン系ガスとPH3 ガスの混合ガスまたはGeH4 ガスとPH3 ガスの混合ガスを含む減圧ガス雰囲気あるいは前記混合ガスの希釈ガス雰囲気で前記半導体基板あるいは前記半導体薄膜を加熱し、前記自然酸化膜を還元除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面あるいは半導体材料の表面に形成される自然酸化膜を除去する処理方法において、シラン系ガスとPH3 ガスの混合ガスまたはGeH4 ガスとPH3 ガスの混合ガスを含む減圧ガス雰囲気あるいは前記混合ガスの希釈ガス雰囲気で前記半導体基板あるいは前記半導体薄膜を加熱し、前記自然酸化膜を還元除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 A