特許
J-GLOBAL ID：200903077212491959
メモリカードおよびこれを含むメモリカードシステム並びにメモリカードのデータ書き換え方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057453
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュメモリ等のブロック毎或はチップ毎に一括消去可能な半導体メモリ素子を搭載したメモリカードにおいて、データの書き換え動作速度を向上させ、総合的な処理速度を向上させることを目的とする。【構成】 フラッシュメモリ素子4〜8からなる半導体メモリ素子群に未使用のメモリ素子8を設け、かつデコード情報が外部から適宜変更可能なデコーダ2aを設け、データ書き換えの際、当該メモリ素子4に一括消去のコマンドを書き込んだ後、デコーダ2aのデコード情報を書き換えてメモリ素子4の代わりに未使用メモリ素子8を動作可能にし、コマンドの書き込みに続いて行われるメモリ素子4の一括消去動作と並行してメモリ素子8に新規データを書き込み以後、メモリ素子8がメモリ素子4の代わりをし、メモリ素子4は未使用素子となる。
請求項（抜粋）：
コマンドの書き込みにより自動的に一括消去動作が行われるブロックを有する書き換え可能な不揮発性の半導体メモリ素子からなる半導体メモリ素子群と、この半導体メモリ素子群に含まれる少なくとも1つの消去完了状態にある未使用のブロックと、内蔵するデコード情報に従って上記半導体メモリ素子群の各ブロックを選択的に動作状態にすると共に、上記デコード情報が外部から適宜変更可能なデコーダと、を備え、データの書き換えの際、当該ブロックの一括消去動作と並行して上記未使用のブロックに新規のデータの書き込みが可能で、上記未使用のブロックが当該ブロックの代わりをし、一括消去が完了した当該ブロックが未使用のブロックとなるメモリカード。
IPC (3件)：
G11C 5/00 302
, G06F 12/06 525
, G11C 16/06
