特許

J-GLOBAL ID：200903077215763224

CVD-Ti膜の成膜方法

発明者： 多田 國弘 ,  大槻 林
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-366066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186197
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜に形成された微細なホール部位に、良好なステップカバレージを維持しつつ、下地のSiとの界面のモホロジーが良好となるTi膜を成膜することができるCVD-Ti膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 Si基板上またはその上のSi膜上に形成された絶縁膜のホールにCVD-Ti膜を成膜するにあたり、チャンバー1内にSi基板Wを装入し、チャンバー1内を所定の減圧雰囲気にし、チャンバー1内にTiCl4ガス、H2ガス、Arガス、SiH4ガスを導入する。この状態でチャンバー1内にプラズマを生成してTi膜を成膜する。この成膜の際に、基板温度を550°C以上とし、ガスの流量を、成膜における絶縁膜に対するSiの選択比が1以上となるように設定する。

請求項（抜粋）：

Si基板上またはその上のSi膜上に形成された絶縁膜のホールにCVD-Ti膜を成膜する方法であって、チャンバー内にSi基板を装入する工程と、チャンバー内を所定の減圧雰囲気にする工程と、チャンバー内にTiCl4ガス、H2ガス、Arガス、SiH4ガスを導入する工程と、チャンバー内にプラズマを生成して、Ti膜を成膜する工程とを具備し、成膜の際の基板温度を550°C以上とし、前記ガスの流量を、成膜における絶縁膜に対するSiの選択比が1以上となるように設定することを特徴とするCVD-Ti膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/31 B