特許

J-GLOBAL ID：200903077221178589

半導体装置およびその製造方法

発明者： 伊東 豊二 ,  藤井 英治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049929
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252336
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体膜を含む電子デバイスの上部電極に至るコンタクトを通して水素または水分が拡散し、強誘電体膜にダメージを与えることを低減する。【解決手段】 半導体基板100上に下部電極102と強誘電体を用いた容量絶縁膜103と上部電極104とからなる電子デバイスを形成する。次に、電子デバイス上を含む半導体基板100上に層間絶縁膜105を堆積し、層間絶縁膜105に上部電極104に達するコンタクト106を形成する。次に、層間絶縁膜105上およびコンタクト106上に導電性バリア膜107および導電性水素バリア膜108を堆積する。次に、導電性バリア膜107および導電性水素バリア膜108をコンタクト106を含む領域でパターニングし、これらの上を含む層間絶縁膜105上に導電膜を堆積し、これをパターニングして配線110を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下部電極と強誘電体を用いた容量絶縁膜と上部電極とからなる電子デバイスと、前記電子デバイス上を含む前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成され前記上部電極に達するコンタクトと、前記層間絶縁膜上および前記コンタクト上に形成された導電性バリア膜と、前記コンタクト上を含み、前記導電性バリア膜上に形成された導電性水素バリア膜と、前記層間絶縁膜上、前記導電性バリア膜上および前記導電性水素バリア膜上に形成された配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/90 B

Fターム (35件)：

5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK07 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033VV10 ,  5F033XX28 ,  5F083FR02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33