特許
J-GLOBAL ID：200903077227616219
電子放出素子
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071864
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269932
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 電子放出効率の高い電子放出素子を提供する。【解決手段】 電子を供給する半導体層、半導体層上に形成された多孔質半導体層及び多孔質半導体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、半導体層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、多孔質半導体層はその膜厚方向において互いに異なる多孔度を有する少なくとも2以上の多孔質層を有する。
請求項（抜粋）：
電子を供給する半導体層、前記半導体層上に形成された多孔質半導体層及び前記多孔質半導体層上に形成され前記真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記半導体層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、前記多孔質半導体層はその膜厚方向において互いに異なる多孔度を有する少なくとも2以上の多孔質層を有することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01J 1/30 S
, H01J 1/30 M
, H01L 33/00 L
