特許
J-GLOBAL ID：200903077228359872
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080491
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】シフタのドライエッチングの終点を容易に得ることができるようにすると共に、電子線描画の工程においてチャージアップ現象を防ぎ、その結果シフタの厚さのバラつきを低減し位相をずらす効果を最大限に生かすことのでき、かつ重ね合わせ描画が良好な位相シフトマスクを安定して製造する方法を提供する。【構成】遮光層パターンが形成された基板を用いて位相シフトマスクを製造する方法において、遮光層パターンが形成された基板上に、エッチングストッパ層、シフタ層、導電層、レジストを順次設ける工程、レジストパターンを形成した後、導電層とシフタ層をドライエッチングする工程、レジストパターンと導電層を剥離する工程、を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
請求項（抜粋）：
遮光層パターンが形成された基板を用いて位相シフトマスクを製造する方法において、(a) 遮光層パターンが形成された基板上に、エッチングストッパ層、シフタ層、導電層、レジストを順次設ける工程、(b) レジストパターンを形成した後、導電層とシフタ層をドライエッチングする工程、(c) レジストパターンと導電層を剥離する工程、を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
