反射型半導体表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182704
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013525
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】ドライバ等の占有面積の問題を解決し、かつ良好な表示画像を提供することができる大画化可能な反射型液晶表示装置を提供すること。【解決手段】本発明は、アクティブマトリクス回路、ソースドライバおよびゲートドライバ等の駆動回路、および他の駆動回路を1枚の絶縁基板上に集積化する反射型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するに際し、画素部と駆動回路および他の駆動回路とを重ならせる。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配置された複数の画素TFTおよび前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極またはドレイン電極に接続された反射電極を有する画素部と、複数の駆動回路TFTを有する駆動回路と、を有する反射型半導体表示装置において、前記画素TFTおよび前記駆動回路TFTは、第1の導電層で形成されるゲート電極を有しており、前記ゲート電極は、第2の導電層で形成されるゲート配線と接続部で電気的に接触しており、前記接続部は、前記画素TFTと前記駆動回路のTFTとが有するチャネル形成領域の外側に設けられており、前記駆動回路の一部または全部は、前記反射電極の下部に配置され、前記駆動回路の電源線は、前記反射電極と前記前記画素TFTおよび前記駆動回路TFTのソース電極またはドレイン電極との間に形成されることを特徴とする反射型半導体表示装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 307 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 307 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 L

Fターム (158件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA24 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA07 , 2H092NA25 , 2H092NA28 , 2H092PA12 , 2H092RA05 , 2H092RA10 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA14 , 5C094AA15 , 5C094AA21 , 5C094AA22 , 5C094AA25 , 5C094AA31 , 5C094AA33 , 5C094AA48 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB02 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA06 , 5C094EA07 , 5C094EA10 , 5C094ED11 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094HA10 , 5C094JA01 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110AA13 , 5F110AA17 , 5F110AA19 , 5F110AA21 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE34 , 5F110EE36 , 5F110EE37 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (1件)

電気光学装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-277486 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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