特許
J-GLOBAL ID：200903077230621088
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230210
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071885
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】本発明は、低い駆動電圧で高輝度の発光をさせることができ、消費電力の低減が可能となるとともに、発光効率の高い半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】クラッド層106の表面上には、発光層(又は、活性層)103が形成されており、当該発光層103の中央部表面上には、発光層103のバンドギャップエネルギーより小さいバンドギャップエネルギーを有する発光層(又は、活性層)105が形成されている。発光層103と105の間にはバリア層は設けられておらず、発光層103は発光層105のキャリア閉じこめ層としても利用可能となっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の表面上に形成された第1の発光層と、前記第1の発光層の中央部表面上に形成された第2の発光層と、前記第1の発光層の前記中央部以外の表面上に形成され、前記第2の発光層を挟み込むように前記第2の発光層に隣接して設けられたガイド層と、前記第2の発光層、及び前記ガイド層上に形成された第2のクラッド層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/22 610
, H01L33/00 F
5F041AA12
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CB28
, 5F073AA44
, 5F073AA74
, 5F073AA75
, 5F073AB06
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073EA04
