特許
J-GLOBAL ID：200903077232593294
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213123
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044364
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 静電破壊からの内部回路保護を強化する。【解決手段】外部接続端子7Aから入出力回路3Aを経てこれと電源ライン8A,9Aの同じ内部回路4Aに至る信号配線14Aに対しては入出力回路3A入出力回路において第1保護回路3AAを設けて内部素子11Aを静電破壊から保護することに加えて、分岐配線15Bには、電源ライン8B,9Bの異なる内部回路4Bに至る前にそれと同じ組の入出力回路3Bを経るようにしたうえでそこに第2保護回路13Bを設けるとともに、内部回路4Bにも第3保護回路23〜26を設けて、内部回路4Bが静電破壊から多段に保護されるようにする。また、何れの信号配線からも切り離された能動素子を保護素子として導入する。さらに、複数個の保護素子で保護対象の素子を周りから保護する。
請求項（抜粋）：
電源ラインの異なる複数組の入出力回路および内部回路と、外部接続端子から前記複数組のうち何れか一の組における入出力回路を経てこれと同じ組の内部回路に至る信号配線と、この信号配線から分岐して前記複数組のうち何れか他の組における入出力回路を経てこれと同じ組の内部回路に至る分岐配線と、前記一の組の入出力回路において前記信号配線に対して設けられた第1保護回路と、前記他の組の入出力回路において前記分岐配線に対して設けられた第2保護回路と、前記他の組の内部回路において前記分岐配線に対して設けられた第3保護回路とを備えた半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
Fターム (13件)：
5F038AV04
, 5F038AV06
, 5F038BE07
, 5F038BH04
, 5F038BH07
, 5F038BH13
, 5F038CA02
, 5F038CA03
, 5F038CD02
, 5F038CD05
, 5F038DF11
, 5F038DF12
, 5F038EZ20
