特許

J-GLOBAL ID：200903077236561290

真空処理装置及び方法、半導体、液晶基板の製造方法

発明者： 今村 浩二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119265
公開番号（公開出願番号）：特開2002-316035
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月29日
要約：

【要約】【課題】 同一の反応用チャンバーを、一つのポンプ、コンダクタンスバルブ、真空計で真空度を制御するシステムにおいて、ガス導入を行いながら、コンダクタンスバルブで真空度の調整を行うシステムでは、ガス流量の安定時間にバルブ動作が左右され、調圧制御に時間がかかる。【解決手段】 真空処理室1の所定の真空度と前回プロセス処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度より圧力が高い時は前記真空処理室1を真空に排気するポンプ3とこの真空処理室1との間に設けられたバルブ2を開く方向に、所定の真空度より圧力が低い時は前記バルブ2を閉じる方向にバルブ開度データを補正し、プロセス処理を行い、前記真空処理室1に導入するガス流量に応じてバルブ開度データを補正する量を決定する。

請求項（抜粋）：

真空処理室の所定の真空度と前回プロセス処理した時の真空度の値とを比較し、所定の真空度より圧力が高い時は前記真空処理室を真空に排気するポンプとこの真空処理室との間に設けられたバルブを開く方向に、所定の真空度より圧力が低い時は前記バルブを閉じる方向にバルブ開度データを補正する工程と、プロセス処理を行う工程とを有し、前記真空処理室に導入するガス流量に応じてバルブ開度データを補正する量を決定することを特徴とする真空処理方法。

IPC (4件)：

B01J 3/02 ,  B01J 3/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

B01J 3/02 L ,  B01J 3/00 J ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (11件)：

5F004AA16 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CB05 ,  5F045EB02 ,  5F045EB12 ,  5F045EE17 ,  5F045EG02 ,  5F045EG06 ,  5F045GB06