特許

J-GLOBAL ID：200903077237551700

半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置

発明者： 池田 正和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086323
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283487
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハダイシング時のウェハ洗浄を良好に行え、洗浄不完全に伴う問題を解決し、安定した高い洗浄効果が得られ、製品の高信頼性が保て、高歩留りの量産をも可能な半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置を提供する。【解決手段】 ?@少なくともダイシング後の半導体ウェハ1に、超音波振動を付与した洗浄を施すダイシング方法。?A半導体ウェハ1をカッティングしてダイシングするカッティング部と、ダイシングされた半導体ウェハを搬送する搬送路を備え、該ダイシングされた半導体ウェハを搬送する搬送路に、ダイシングされた半導体ウェハを洗浄する洗浄水を供給する洗浄水供給部4と、この洗浄水に超音波振動を付与する超音波振動子2を具備するダイシング装置。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハをダイシングするダイシング方法において、少なくともダイシング後の半導体ウェハに、超音波振動を付与した洗浄を施すことを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/301

FI (5件)：

H01L 21/304 341 N ,  B08B 3/12 D ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 F