特許

J-GLOBAL ID：200903077242014926

半導体装置の実装方法

発明者： 土津田 義久
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044545
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243331
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 リフロー接続における作業性および歩留りを向上させ、高信頼性を有する回路モジュールを提供する。【構成】 回路基板11上に無洗浄フラックス15を塗布し、さらに半導体装置12が実装された際にその半導体装置12の下面に接触する高さになるように回路基板11上に封止用樹脂16を滴下し、この封止用樹脂16の粘着力によって半導体装置12を回路基板11上に仮止めした後にリフロー接続する。このようにして、フラックス以外の樹脂で半導体装置12を回路基板11に仮止めして無洗浄フラックスの使用を可能にすることによって、リフロー接続の際の作業性および歩留りを向上させ、高信頼性の回路モジュールを得る。

請求項（抜粋）：

窒素雰囲気炉中あるい空気雰囲気炉中において半田バンプ電極を介して半導体装置を回路基板にリフロー接続する半導体装置の実装方法において、上記回路基板上における接続パッドの箇所に無洗浄フラックスを塗布し、さらに上記回路基板上における半導体装置によって覆われる箇所に封止用の樹脂を上記半導体装置が実装された際にその半導体装置の下面に接触する高さになるように供給し、次に、上記接続パッドに上記半田バンプ電極を接触させて上記半導体装置を上記回路基板上に載置して、上記封止用の樹脂の粘着力によって上記半導体装置を上記回路基板上に仮止めし、次に、上記半導体装置が仮止めされた回路基板を上記窒素雰囲気炉あるいは空気雰囲気炉に入れて、上記半導体装置を回路基板にリフロー接続することを特徴とする半導体装置の実装方法。