セラミック多層基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083141
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 CSP(チップサイズパッケージ)に好適なセラミック多層基板を製造する方法に関し、端子間を狭ピッチ化してもショートが無く、熱歪の影響を受けにくいセラミック多層基板の突起電極を簡単に形成する。【構成】積層した未焼成のガラスセラミックシート2の上下面に、焼成時の収縮を抑制するアルミナシート1,12を配置する。アルミナシート12には、ビア導体3の位置に開孔13を設けている。この状態で焼成すると、ガラスセラミックシート2は高さ方向に収縮するのに対し、開孔13を設けたビア導体3は収縮せず盛り上がる。そこでアルミナシート12を除去すると、突起電極14を有するセラミック基板4を得ることができる。

請求項（抜粋）：

積層した未焼成のセラミックシートの上面に、前記積層したセラミックシート間を貫くビア導体の位置に、突起電極を形成すべき大きさの開孔を有するとともに、前記突起電極の高さに応じた厚さを有する収縮抑制シートを載置してから焼成するようにしたセラミック多層基板の製造方法。

FI (3件)：

H05K 3/46 H , H05K 3/46 N , H05K 3/46 V

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