特許

J-GLOBAL ID：200903077250736574

固体撮像装置

発明者： 坂下 信男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015729
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 フォトセンサ部の深部にオーバーフローバリアを形成するウエル層を形成した固体撮像装置において、大光量入射時のKNEE特性を抑制し、画質劣化を防止する。【解決手段】 チャネルストップ部120は、半導体基板10の表面部からP型ウエル層30と一定の間隔を有する深い位置にかけて形成され、P型ウエル層30に流れるオーバーフロー電流の一部を半導体基板10の表面側から接地部(GND)に流すルートを形成する。つまり、チャネルストップ部120は、P型ウエル層30のルートBを通るホールの一部がチャネルストップ部120に分岐し、ルートCとなってルートAと合流することにより、P型ウエル層30のルートBを通る過剰なホールによるKNEE特性を抑制し、画質劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に多数の受光画素をマトリクス状に配設した固体撮像装置において、第1導電型の半導体基板上に前記受光画素を構成する第2導電型の受光領域と第1導電型の光電変換領域とを設けて形成される多数のフォトセンサ部と、前記各フォトセンサ部の深部に形成され、各フォトセンサ部で共有するオーバーフローバリアを形成する第2導電型のウエル層と、前記各フォトセンサ部の一方の側部に隣接して形成された第2導電型の読み出しゲート領域と、前記各フォトセンサ部の読み出しゲート領域に隣接し、前記マトリクスの垂直方向に沿って形成され、前記各フォトセンサ部から読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ領域と、前記マトリクスの水平方向に沿って形成され、前記垂直転送レジスタ領域によって転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ領域と、前記フォトセンサ部の他方の側部に隣接し、前記マトリクスの垂直方向に沿って形成された第2導電型のチャネルストップ領域とを有し、前記チャネルストップ領域は、前記半導体基板の表面部から前記フォトセンサ部より深い位置にかけて形成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

Fターム (20件)：

4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA11 ,  4M118FA13 ,  4M118FA24 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB07 ,  5C024AA01 ,  5C024CA02 ,  5C024CA21 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA26 ,  5C024GA42