特許

J-GLOBAL ID：200903077254621356

半導体記憶装置

発明者： 垂石 敏伯 ,  前田 敏夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056433
公開番号（公開出願番号）：特開平6-243674
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 高集積化・大容量化されたダイナミック型RAM等のページモード等による高速読み出しモードにおける実質的なCASプリチャージ時間をなくし、そのサイクルタイムを高速化する。【構成】 ページモード等による高速読み出しモードを有するダイナミック型RAM等に、例えば2組の相補共通データ線CDa*及びCDb*を設け、これらの相補共通データ線に対する相補ビット線の接続及びプリチャージ動作を、それぞれ異なるタイミングで交互に繰り返す。これにより、ダイナミック型RAM等の高集積化・大容量化が進み相補共通データ線に比較的大きな寄生容量が結合される場合でも、高速読み出しモードのサイクルタイムに影響を与えることなく、相補共通データ線のプリチャージ動作を行うことができる。

請求項（抜粋）：

指定されるビット線がそれぞれ選択的に接続される複数の共通データ線を具備し、かつ上記複数の共通データ線に対するビット線の接続及びプリチャージ動作をそれぞれ異なるタイミングで繰り返しながら選択されたワード線に結合される複数のメモリセルの読み出しデータを連続して出力しうる高速読み出しモードを有することを特徴とする半導体記憶装置。