特許
J-GLOBAL ID：200903077258878106
素子製造方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236057
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078324
出願日： 1984年11月28日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】照明用の光束としてエキシマレーザーからの光を用いた半導体素子製造に好適な素子製造方法及び露光装置を得る。【解決手段】エキシマレーザー1からの光で回路パターンを照明し、投影レンズ系を介して回路パターンを被露光基板上に投影して回路を製造する回路製造方法において、投影レンズ系3を複数種の硝材で構成し且つ投影レンズ系3を構成する複数個のレンズ素子の全てを単レンズにし、エキシマレーザー1からの光の波長幅を狭くして前記回路パターンを照明する。
請求項（抜粋）：
エキシマレーザーからの光でパターンを照明し、投影レンズ系を介してパターンを被露光基板上に投影して素子を製造する素子製造方法において、前記投影レンズ系を複数種の硝材で構成し且つ前記投影レンズ系を構成する複数個のレンズ素子の全てを単レンズにし、前記エキシマレーザーからの光の波長幅を狭くして前記パターンを照明することを特徴とする素子製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G02B 13/24
, G03F 7/20 505
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 515 D
, H01L 21/30 529
