特許
J-GLOBAL ID：200903077262327726
光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099052
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310743
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【構成】 絶縁基板12上に配置された非晶質半導体からなる光起電力層18の表面および裏面にそれぞれ表面電極20および裏面電極14を形成する。表面電極20上に形成する集電極22のうち少なくとも金属線24と半田付けする部分と対応する光起電力層18の裏面には裏面電極14を形成せず、この位置16aおよび16bでは光起電力層18は絶縁基板12に直接接触する。したがって、集電極22上に金属線24を半田付けしても、表面電極20と光起電力層18とが合金化するだけで、表面電極20と裏面電極14とは短絡しない。【効果】 光起電力素子の特性が著しく低下することを防止でき、モジュール化が容易になる。
請求項（抜粋）：
基板,前記基板上に配置されるかつ非晶質半導体からなる光起電力層,前記光起電力層の表面および裏面にそれぞれ形成される表面電極および裏面電極,前記表面電極上に形成される集電極ならびに前記集電極に半田付けされるリード線を含む光起電力素子において、前記集電極のうち少なくとも前記リード線が半田付けされる部分と対応する前記光起電力層の裏面の位置に前記光起電力層と接触するように絶縁膜を形成することを特徴とする、光起電力素子。
引用特許：
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