特許

J-GLOBAL ID：200903077264405082

光半導体装置

発明者： 長谷川 剛
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396928
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159088
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 透光性蓋体と絶縁基体とが強固に接合されて、光半導体素子を収納する密閉空間の気密性に優れ、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができる信頼性の高い光半導体装置を提供すること。【解決手段】 光半導体装置9は、上面に光半導体素子3を収容するための凹部1aを有する絶縁基体1と、絶縁基体1の凹部1aの内側から外側に導出された配線導体2と、絶縁基体1の凹部1aの底面に接合されるとともに電極4が配線導体2に電気的に接続された光半導体素子3と、絶縁基体1の上面に凹部1aを塞ぐようにして接合材7を介して接合された透光性蓋体5とから成り、絶縁基体1は、上面が凹部1aの内側に向かって低くなるように傾斜している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

上面に光半導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に接合されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして接合材を介して接合された透光性蓋体とから成る光半導体装置において、前記絶縁基体は、上面が前記凹部の内側に向かって低くなるように傾斜していることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L31/02 ,  H01L23/02 ,  H01L27/14

FI (3件)：

H01L31/02 B ,  H01L23/02 B ,  H01L27/14 D

Fターム (15件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118GB01 ,  4M118GC20 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA30 ,  5F088AA01 ,  5F088BA13 ,  5F088JA03 ,  5F088JA05 ,  5F088JA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285910   出願人：株式会社東芝