特許

J-GLOBAL ID：200903077265207748

ポリシング制御方法および装置

発明者： ウェイン マッティングリー ,  新井 初雪
出願人/特許権者： スピードファム コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196027
公開番号（公開出願番号）：特開平9-155642
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 薄いウエハを所望程度の平坦さまで磨く方法および装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体材料のウエハ(20)のようなウエハ(20)のポリシングは、ウエハ(20)をキャリア(28)に取付け、ウエハ(20)をポリシング媒体(98)を介在させてポリシングパッド(46)に押しつけることによって行われ、ポリシングパッド(46)に下方には、アンテナ(50)が設置され、キャリア組立体とアンテナ(50)との間に電気付勢が行われ、電気付勢は好ましくは直流バイアスを含むが、高周波搬送注入信号も含まれ、イオン解離と関連したノイズを監視して進行中の磨き作用の活性度をリアルタイムで分析することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非導電性テーブルと、テーブルの上方に配置され、ポリシングするべき加工物を支持するキャリア組立体と、前記テーブルおよび前記キャリア組立体のうちの少なくとも一方を他方に対して移動させる手段と、前記テーブルに支持されたポリシングパッドと、前記パッドと前記テーブルとの間の導電性材料の薄い可撓性シートを備えたアンテナと、前記キャリア組立体と前記アンテナとの間に結合された電気付勢手段とを備え、前記ポリシングパッドは十分に薄く、ポリシング活動により発生されるイオン解離をアンテナが検出できるようになっていることを特徴とする加工物をポリシングする装置。

IPC (3件)：

B23H 5/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B23H 5/00 A ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M